❯ 三星拟采用台积电 3nm 制造 NVHBM 基础芯片，英伟达推动多家内存供应商统一设计

竞争对手出现在同一条产线分工中据路透社转述《首尔经济日报》，三星已接受英伟达要求，拟使用台积电 3nm 工艺制造定制 NVHBM 的基础芯片。报道援引行业消息人士称，英伟达也向 SK 海力士和美光提出了同样要求；这仍是媒体披露的供应安排。

把控制器搬进内存堆叠HBM 是为 AI 芯片快速输送数据的高带宽内存。英伟达在 8 月发布的技术介绍中解释，NVHBM 将定制内存控制器放入堆叠底部的基础芯片，而非继续占用主计算芯片的面积。这样做的目标是改善数据传输、功耗和芯片面积分配，让更多资源用于计算。

特殊订单不等于全面外包报道指，三星仍计划在标准 HBM 和其他客户的定制产品中维持自有生产模式。因此，本次变化不等于三星放弃自己的晶圆代工业务，也不能把基础芯片的制造安排扩大为整颗内存都由台积电生产。内存堆叠与底部逻辑芯片承担不同功能，供应链分工也可以不同。

统一接口减少重复适配英伟达的设计意图，是让多个内存供应商提供更统一的实现，减少客户在不同供应来源之间切换时的集成和验证工作。对 AI 系统厂商，这有望简化定制芯片的开发；对内存企业，竞争则不仅涉及容量和带宽，也涉及能否按平台客户指定的架构交付产品。

▮ SIGNALAI 芯片的主导权正在延伸到内存内部设计，平台厂商提出统一要求后，原本直接竞争的制造商也可能参与同一套产品分工。