❯ 三星与 SK 海力士升级在华 NAND 工厂，推进 200 层以上产品

存储工艺进入升级阶段路透 10 月 21 日报道，三星和 SK 海力士正在升级中国工厂的 NAND 闪存生产工艺，以应对客户需求和市场竞争。两家公司确认正在进行设备或技术升级，具体层数与产量计划则来自知情人士，并非完整官方生产指引。

增加层数以提高存储密度NAND 是断电后仍能保存数据的闪存，用于手机、电脑和数据中心固态硬盘。报道指，三星西安工厂计划转向 286 层 V9 NAND，SK 海力士大连工厂则考虑从 192 层产品转向 240 层及以上。更多堆叠层数有助于提高同一芯片面积的容量，影响每单位存储成本。

技术升级与扩建需要区分三星表示此次升级用于满足全球客户需求，不涉及增加生产能力或新建工厂。数据中心需要的不只有承担 AI 运算的加速芯片，也包括保存模型、数据和计算结果的存储系统；在既有制造基地更新工艺，是供应商改善产品结构的一条路径。

▮ SIGNALAI 基础设施需求正延伸到存储，供应商通过既有工厂的工艺升级提高密度，而不只依赖新建产能。