❯ 长鑫科技 4F² DRAM 架构取得进展，年底将推出新一代服务器内存条

把晶体管竖起来据新浪财经报道，长鑫科技 10 月 10 日宣布 4F² DRAM 架构研发取得关键进展。总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上表示，公司预计今年年底推出采用该技术的新一代 DDR5 RDIMM，也就是服务器用内存条。产品具体规格和发布日期尚未公布。

同样面积塞进更多单元F 指芯片能做出的最小线宽，DRAM 每个存储单元的面积用 F² 衡量。行业主流是 6F²，4F² 意味着单个存储单元更小、同样面积能存更多数据。实现的关键是长鑫自研的 VSG 垂直包围栅晶体管：把原本水平的晶体管沟道竖起来，并从四周包住，栅极控制更强，能缓解漏电和短沟道效应。公司称在 4F² 方向的公开专利族超过 300 件。

份额与产品同步推进长鑫今年 7 月 27 日登陆科创板。据虎嗅援引汇丰银行 10 月上旬的报告，长鑫的全球 DRAM 市场份额已升至约 10%，一年前约为 4%。同一报道显示，消息公布后的 10 月 13 日，SK 海力士下跌 10%，三星电子下跌 7.4%，美光下跌约 4%。今年以来，长鑫还先后宣布量产 LPDDR6 和第五代工艺平台。

服务器内存是硬骨头首款 4F² 产品选择服务器内存条，意味着要直接面对数据中心对性能、稳定性和兼容性的严苛要求。AI 服务器对内存容量需求持续增长，如果新架构能按期量产并稳定供货，服务器厂商在 DRAM 采购上将多一个可选的供应来源。

▮ SIGNAL存储芯片的竞争正在换赛道：从在旧架构上比谁的线宽更细，转向谁能先把全新架构做成可量产的产品。