❯ 长鑫科技第五代平台量产，有源区半间距做到 11.95 纳米

量产宣布长鑫科技在 2026 世界制造业大会上宣布第五代技术平台正式量产。据公司公布的参数，该平台用四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米，公司称已接近全球最先进存储生产平台的工艺水平。

产出提升对产业更有用的是另一个数字：同等条件下每张晶圆产出较上一代提升 50% 以上。基于该平台的 24GB LPDDR5X 产品已量产，并全面进入国产主流旗舰手机供应链。此前一段时间，这家公司的进展主要出现在 HBM3E 风险试产的消息里，这次是第一次把基础 DRAM 平台的完整工艺参数摆到台面上。

供给含义存储密度和单片产出同时提升，改的是国产存储的供给曲线而不只是规格表。全球内存正处在 AI 需求挤压消费级供给的周期里，一个能把每片晶圆多出五成产能的国产平台，先缓解的是手机厂的成本压力。接下来要盯的是这套平台什么时候被用到 HBM 的基础芯片上——那才是它与 AI 算力真正接上的地方。

▪ SIGNAL每片晶圆多出五成产出，比 11.95 纳米这个数字更能说明国产存储的位置变了。